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INN900TK350B 是一款高性能的900V額定電壓增強型氮化鎵（GaN）功率晶體管，采用行業廣泛應用的TO-252（DPAK）表面貼裝封裝，便于集成和散熱。作為一款增強型器件，其核心特性是常關（normally-off）電源開關，這意味著在無柵極驅動時器件保持關斷狀態，簡化了驅動電路設計并提升了系統的固有安全性。

該GaN晶體管的關鍵優勢在于其卓越的動態性能和高電壓能力。它能夠支持超高的開關頻率運行，遠超傳統硅基MOSFET，使得設計者能夠采用更小的電感、電容等無源元件，從而顯著提升電源的功率密度和緊湊性。得益于GaN材料的物理特性，INN900TK350B實現了零反向恢復損耗（無反向恢復電荷），極大地降低了開關過程中的能量損失，尤其在硬開關拓撲中效率優勢更為顯著。同時，其低柵極電荷（Qg）和低輸出電荷（Qoss）特性進一步減少了驅動功耗和開關時間，有助于實現更快、更高效的能量轉換。

該器件符合JEDEC工業應用資格標準，并內置ESD保護，確保了在各種工業環境下的可靠性和耐用性。同時，它完全滿足RoHS、無鉛（Pb-free）和REACH等環保法規要求。

基于其高電壓、高效率和高頻特性，INN900TK350B特別適用于要求嚴苛的應用市場，是構建高效、高功率密度快速充電器中AHB、LLC、ACF以及QR反激式DC-DC轉換器的理想選擇。此外，其高達900V的耐壓能力使其在優化電源設計以應對電網電壓波動或存在高壓瞬變風險的應用場景中表現出色。

INN900TK350B_Datasheet_Rev. 1.1.pdf